| 专利名称 | 空穴型半导体电控量子点器件，其制备及使用方法 | 申请号 | CN201710498737.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107170813A | 公开（授权）日 | 20170915 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 李海欧;袁龙;王柯;张鑫;郭光灿;郭国平 | 主分类号 | H01L29/66 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 空穴型半导体电控量子点器件，其制备及使用方法 至空穴型半导体电控量子点器件，其制备及使用方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障