| 专利名称 | 利用低温剥离技术制备绝缘体上材料的方法 | 申请号 | CN201410475087.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105428302A | 公开（授权）日 | 20160323 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;陈达;王刚;郭庆磊;母志强;孙高迪;薛忠营;狄增峰 | 主分类号 | H01L21/762 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 利用低温剥离技术制备绝缘体上材料的方法 至利用低温剥离技术制备绝缘体上材料的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障