| 专利名称 | 应用于III-V族衬底的复合栅介质层及其制作方法 | 申请号 | CN201510418996.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105097901B | 公开（授权）日 | 20151125 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王盛凯;刘洪刚;孙兵;常虎东 | 主分类号 | H01L29/51 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 应用于III-V族衬底的复合栅介质层及其制作方法 至应用于III-V族衬底的复合栅介质层及其制作方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
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2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障