| 专利名称 | 用于相变存储器的V‑Sb‑Te相变材料体系及其制备方法 | 申请号 | CN201410522199.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104241527B | 公开（授权）日 | 20141224 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 纪兴龙;吴良才;朱敏;饶峰;宋志棠;曹良良;孟云;封松林 | 主分类号 | H01L45/00 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 用于相变存储器的V‑Sb‑Te相变材料体系及其制备方法 至用于相变存储器的V‑Sb‑Te相变材料体系及其制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障