| 专利名称 | EMPT-TI-IGBT器件的结构及其制备方法 | 申请号 | CN201310085535.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103839988A | 公开（授权）日 | 20140604 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明（设计）人 | 朱阳军;张文亮;胡爱斌;赵佳;吴振兴 | 主分类号 | H01L29/739 | IPC主分类号 | 专利有效期 | EMPT-TI-IGBT器件的结构及其制备方法 至EMPT-TI-IGBT器件的结构及其制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障