| 专利名称 | 一种半导体结构的制造方法 | 申请号 | CN201110351250.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103094120A | 公开（授权）日 | 20130508 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;于伟泽 | 主分类号 | H01L21/336 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种半导体结构的制造方法 至一种半导体结构的制造方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障