| 专利名称 | 含有TiSiN材料层的相变存储单元及其制备方法 | 申请号 | CN201210342947.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102832342A | 公开（授权）日 | 20121219 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;龚岳峰;饶峰;刘波;亢勇;陈邦明 | 主分类号 | H01L45/00 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 含有TiSiN材料层的相变存储单元及其制备方法 至含有TiSiN材料层的相变存储单元及其制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障