| 专利名称 | 制作ZnO基异质结发光二极管的方法 | 申请号 | CN201010183370.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101866999B | 公开（授权）日 | 20101020 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张曙光;尹志岗;张兴旺;游经碧 | 主分类号 | H01L33/02 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 制作ZnO基异质结发光二极管的方法 至制作ZnO基异质结发光二极管的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障