| 专利名称 | 具有多层介孔孔壁的二氧化硅中空球及其合成方法 | 申请号 | CN200610144192.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101190790B | 公开（授权）日 | 20080604 | 申请（专利权）人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明（设计）人 | 郭晨;羊彬;刘会洲 | 主分类号 | C01B33/18 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 具有多层介孔孔壁的二氧化硅中空球及其合成方法 至具有多层介孔孔壁的二氧化硅中空球及其合成方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
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2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障