| 专利名称 | 一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法 | 申请号 | CN201610534964.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106054519A | 公开（授权）日 | 20161026 | 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 李腾跃;吴天准;孙滨;杜学敏 | 主分类号 | G03F7/00 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法 至一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障