| 专利名称 | 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 | 申请号 | CN201510012713.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104600564B | 公开（授权）日 | 20150506 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 杨涛;高凤;罗帅;季海铭 | 主分类号 | H01S5/343 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 至制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障