| 专利名称 | 顶浮栅范德华异质结器件及其制备方法、光电存储器件 | 申请号 | CN201910408844.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN110323223A | 公开（授权）日 | 20191011 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 何军;黄文浩;尹蕾 | 主分类号 | H01L27/105 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 顶浮栅范德华异质结器件及其制备方法、光电存储器件 至顶浮栅范德华异质结器件及其制备方法、光电存储器件 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障