| 专利名称 | 一种应用于中子散射实验的分离超导磁体结构 | 申请号 | CN201810842764.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108956666A | 公开（授权）日 | 20181207 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 郭永超;朱思华;谭运飞;陈文革;程翔宇;陈治友;匡光力;江诗礼;钱新星;房震;蒋冬辉;黄鹏程;郑遥路;邹贵弘 | 主分类号 | G01N23/202 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种应用于中子散射实验的分离超导磁体结构 至一种应用于中子散射实验的分离超导磁体结构 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障