| 专利名称 | 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 | 申请号 | CN200910235334.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102034909A | 公开（授权）日 | 20110427 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 牛智川;倪海桥;王海莉;贺继方;朱岩;李密峰;王鹏飞;黄社松;熊永华 | 主分类号 | H01L33/02 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 至一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障