| 专利名称 | 一种石墨烯薄膜场发射材料的制备方法 | 申请号 | CN200910187297.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102021633A | 公开（授权）日 | 20110420 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 成会明;任文才;吴忠帅;裴嵩峰;汤代明;高力波;刘碧录;李峰;刘畅 | 主分类号 | C25D13/02 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种石墨烯薄膜场发射材料的制备方法 至一种石墨烯薄膜场发射材料的制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障