| 专利名称 | 过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻 | 申请号 | CN200710180002.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101136271B | 公开（授权）日 | 20080305 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈朝阳;范艳伟;丛秀云 | 主分类号 | H01C7/04 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻 至过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障