| 专利名称 | 一种双气隙开放式磁共振成像磁体 | 申请号 | CN201810062295.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108303663A | 公开（授权）日 | 20180720 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所无锡分所 | 发明（设计）人 | 杨文晖;刘洣娜;魏树峰;王铮;王慧贤 | 主分类号 | G01R33/38 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种双气隙开放式磁共振成像磁体 至一种双气隙开放式磁共振成像磁体 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障