| 专利名称 | 基于应变调控的增强型GaN基FinFET结构 | 申请号 | CN201711171651.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107919386A | 公开（授权）日 | 20180417 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王鑫华;王泽卫;黄森;魏珂;刘新宇 | 主分类号 | H01L29/06 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 基于应变调控的增强型GaN基FinFET结构 至基于应变调控的增强型GaN基FinFET结构 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障