| 专利名称 | 基于拓扑绝缘体纳米线的场效应管、其制备方法及应用 | 申请号 | CN201710329636.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107146760A | 公开（授权）日 | 20170908 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 冯军雅;宋志军;吕力;姬忠庆 | 主分类号 | H01L21/34 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 基于拓扑绝缘体纳米线的场效应管、其制备方法及应用 至基于拓扑绝缘体纳米线的场效应管、其制备方法及应用 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障