| 专利名称 | 一种在Si基片上外延生长GaAs薄膜的方法 | 申请号 | CN201210099098.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102618922A | 公开（授权）日 | 20120801 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 赵志飞;李新华;文龙;郭浩民;步绍姜 | 主分类号 | C30B25/16 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种在Si基片上外延生长GaAs薄膜的方法 至一种在Si基片上外延生长GaAs薄膜的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障