| 专利名称 | 一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法 | 申请号 | CN201210019114.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102544222A | 公开（授权）日 | 20120704 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 邓洪海;唐恒敬;李淘;李雪;魏鹏;朱耀明;王云姬;杨波;龚海梅 | 主分类号 | H01L31/18 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法 至一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障