| 专利名称 | 凹栅槽的AlGaN/GaN HEMT多层场板器件及其制作方法 | 申请号 | CN200710064863.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101276837A | 公开（授权）日 | 20081001 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘果果;刘新宇;郑英奎 | 主分类号 | H01L29/778 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 凹栅槽的AlGaN/GaN HEMT多层场板器件及其制作方法 至凹栅槽的AlGaN/GaN HEMT多层场板器件及其制作方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
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