| 专利名称 | 高压热充氢制备纳米晶硅薄膜的方法及其专用设备 | 申请号 | CN200510047084.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN100362143C | 公开（授权）日 | 20070228 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 谭军;万晔;温井龙;张磊;姚戈 | 主分类号 | C30B28/02 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 高压热充氢制备纳米晶硅薄膜的方法及其专用设备 至高压热充氢制备纳米晶硅薄膜的方法及其专用设备 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障