一种采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法

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专利名称 一种采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法 申请号 CN201811634478.4 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN109713091A 公开(授权)日 20190503 申请(专利权)人 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发明(设计)人 黎大兵;程东碧;孙晓娟;贾玉萍;石芝铭 主分类号 H01L33/00 IPC主分类号 专利有效期 一种采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法 至一种采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法 法律状态 说明书摘要

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