| 专利名称 | 基于Si衬底的GaN外延结构及其制备方法 | 申请号 | CN201510765108.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106684139B | 公开（授权）日 | 20170517 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 邓旭光;张宝顺;蔡勇;范亚明;付凯;于国浩;张志利;孙世闯;宋亮 | 主分类号 | H01L29/778 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 基于Si衬底的GaN外延结构及其制备方法 至基于Si衬底的GaN外延结构及其制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障