| 专利名称 | 一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法 | 申请号 | CN201010263067.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101935009B | 公开（授权）日 | 20110105 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王杰;韩勤;杨晓红;王秀平;刘少卿 | 主分类号 | H01S5/187 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法 至一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障