| 专利名称 | 焦硅酸钇闪烁单晶的浮区法生长方法 | 申请号 | CN200910196441.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101665982B | 公开（授权）日 | 20100310 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 冯鹤;丁栋舟;任国浩;潘尚可;陆晟;张卫东 | 主分类号 | C30B29/34 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 焦硅酸钇闪烁单晶的浮区法生长方法 至焦硅酸钇闪烁单晶的浮区法生长方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
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