| 专利名称 | 一种在导电SiC衬底上生长GaN外延材料的方法及器件 | 申请号 | CN201911026117.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN110739207A | 公开（授权）日 | 20200131 | 申请（专利权）人 | 北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓亮;李百泉;冯春;肖红领;姜丽娟;李天运;邱爱芹;介芳 | 主分类号 | H01L21/02 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种在导电SiC衬底上生长GaN外延材料的方法及器件 至一种在导电SiC衬底上生长GaN外延材料的方法及器件 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障