| 专利名称 | 碳化硅MOSFET器件及其制备方法 | 申请号 | CN201811324116.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN109461659A | 公开（授权）日 | 20190312 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;上海汽车集团股份有限公司 | 发明（设计）人 | 陈宏;宁文果;韩忠霖;冯奇 | 主分类号 | H01L21/336 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 碳化硅MOSFET器件及其制备方法 至碳化硅MOSFET器件及其制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障