| 专利名称 | 提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法 | 申请号 | CN201310015290.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103094178A | 公开（授权）日 | 20130508 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 罗杰馨;陈静;伍青青;柴展;余涛;吕凯;王曦 | 主分类号 | H01L21/762 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法 至提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障