| 专利名称 | 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 | 申请号 | CN201210325584.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102820213A | 公开（授权）日 | 20121212 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘长波;赵桂娟;桑玲;王建霞;魏鸿源;焦春美;刘祥林;朱勤生;杨少延;王占国 | 主分类号 | H01L21/205 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 至利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障