| 专利名称 | 射频硅化镀膜工艺 | 申请号 | CN00112274.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1108398C | 公开（授权）日 | 20001115 | 申请（专利权）人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明（设计）人 | 李建刚;龚先祖;赵燕平;万宝年;辜学茂;罗家融 | 主分类号 | C23C16/505 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 射频硅化镀膜工艺 至射频硅化镀膜工艺 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障