| 专利名称 | 还原氧化石墨烯负载单层及少层二硫化钼纳米片的方法 | 申请号 | CN201710778503.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN109428070A | 公开（授权）日 | 20190305 | 申请（专利权）人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 田志坚;郑安达;王冬娥;姜玉霞;李佳鹤;李敏;章冠群 | 主分类号 | H01M4/36 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 还原氧化石墨烯负载单层及少层二硫化钼纳米片的方法 至还原氧化石墨烯负载单层及少层二硫化钼纳米片的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障