| 专利名称 | 等离子体射流沉积薄膜装置及浅化表面陷阱能级的方法 | 申请号 | CN201711407492.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108130524A | 公开（授权）日 | 20180608 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 邵涛;马翊洋;章程;孔飞;高远 | 主分类号 | C23C16/513 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 等离子体射流沉积薄膜装置及浅化表面陷阱能级的方法 至等离子体射流沉积薄膜装置及浅化表面陷阱能级的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障