| 专利名称 | 在硅衬底上调控铁磁钌酸锶外延薄膜居里温度的方法 | 申请号 | CN201410854338.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104480433A | 公开（授权）日 | 20150401 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 王炜;李效民;杨明敏;朱秋香;高相东 | 主分类号 | C23C14/28 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 在硅衬底上调控铁磁钌酸锶外延薄膜居里温度的方法 至在硅衬底上调控铁磁钌酸锶外延薄膜居里温度的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
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