| 专利名称 | 制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法 | 申请号 | CN201210208853.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102694093A | 公开（授权）日 | 20120926 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 汪炼成;马骏;刘志强;伊晓燕;王国宏 | 主分类号 | H01L33/00 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法 至制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
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