| 专利名称 | 低电压CMOS带隙基准电压源 | 申请号 | CN200910304881.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101630176B | 公开（授权）日 | 20100120 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;北京中科微电子技术有限公司 | 发明（设计）人 | 范涛;袁国顺 | 主分类号 | G05F3/30 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 低电压CMOS带隙基准电压源 至低电压CMOS带隙基准电压源 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障