| 专利名称 | 场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 | 申请号 | CN201910326880.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN110112073A | 公开（授权）日 | 20190809 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 揣喜臣;卢年端;杨冠华;李泠;耿玓;刘明 | 主分类号 | H01L21/34 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 至场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障