| 专利名称 | 一种基于动态电阻单元的伪差分式半导体只读存储阵列 | 申请号 | CN201610883758.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106653088A | 公开（授权）日 | 20170510 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 郭轩;武锦;周磊;吴旦昱;刘新宇 | 主分类号 | G11C17/08 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种基于动态电阻单元的伪差分式半导体只读存储阵列 至一种基于动态电阻单元的伪差分式半导体只读存储阵列 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障