| 专利名称 | 磁控溅射法制备二氧化钒薄膜的方法 | 申请号 | CN201310116034.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104099563A | 公开（授权）日 | 20141015 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 金平实;曹逊;姜萌;周怀娟;罗宏杰;包山虎 | 主分类号 | C23C14/08 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 磁控溅射法制备二氧化钒薄膜的方法 至磁控溅射法制备二氧化钒薄膜的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
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2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障