| 专利名称 | 金属-半导体电极结构及其制备方法 | 申请号 | CN201010574581.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102064189A | 公开（授权）日 | 20110518 | 申请（专利权）人 | 苏州纳维科技有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 钟海舰;刘争晖;徐耿钊;蔡德敏;张学敏;刘立伟;樊英民;王建峰 | 主分类号 | H01L29/47 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 金属-半导体电极结构及其制备方法 至金属-半导体电极结构及其制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障