| 专利名称 | 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 | 申请号 | CN200910091632.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101997029B | 公开（授权）日 | 20110330 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 李越强;刘雯;王晓东;陈燕玲;杨富华 | 主分类号 | H01L29/778 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 至高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障