| 专利名称 | 聚偏氟乙烯压电薄膜传感器及其制备方法 | 申请号 | CN200510119116.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN100424907C | 公开（授权）日 | 20060816 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 刘雅言;吴亚男;郇彦;杨一飞;郭川 | 主分类号 | H01L41/08 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 聚偏氟乙烯压电薄膜传感器及其制备方法 至聚偏氟乙烯压电薄膜传感器及其制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障