| 专利名称 | 银‑锗‑硅异质分级结构阵列及其制备方法和用途 | 申请号 | CN201510257621.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104897643B | 公开（授权）日 | 20150909 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 刘菁;孟国文;李中波 | 主分类号 | G01N21/65 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 银‑锗‑硅异质分级结构阵列及其制备方法和用途 至银‑锗‑硅异质分级结构阵列及其制备方法和用途 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障