| 专利名称 | 半导体发光器件的反射腔及其工艺 | 申请号 | CN85100503.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN85100503A | 公开（授权）日 | 19860917 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海冶金研究所 | 发明（设计）人 | 孙体忠 | 主分类号 | H01L33/00 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 半导体发光器件的反射腔及其工艺 至半导体发光器件的反射腔及其工艺 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障