| 专利名称 | 一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法 | 申请号 | CN201910103251.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN109860044A | 公开（授权）日 | 20190607 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 杨静;赵德刚;朱建军;陈平;刘宗顺;梁锋 | 主分类号 | H01L21/324 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法 至一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障