| 专利名称 | 一种测量SiC衬底背面欧姆接触的比接触电阻率的方法 | 申请号 | CN201811381345.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN109545699A | 公开（授权）日 | 20190329 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;株洲中车时代电气股份有限公司 | 发明（设计）人 | 杨成樾;周正东;罗烨辉;陈宏;白云;李诚瞻;刘国友;刘新宇 | 主分类号 | H01L21/66 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种测量SiC衬底背面欧姆接触的比接触电阻率的方法 至一种测量SiC衬底背面欧姆接触的比接触电阻率的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障