| 专利名称 | 具有AlGaN插入层的GaN基半导体发光器件及其制作方法 | 申请号 | CN201910620133.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN110401106A | 公开（授权）日 | 20191101 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 张峰;池田昌夫;刘建平;张书明;李德尧;张立群;杨辉 | 主分类号 | H01S5/343 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 具有AlGaN插入层的GaN基半导体发光器件及其制作方法 至具有AlGaN插入层的GaN基半导体发光器件及其制作方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障