| 专利名称 | 一种基于忆阻器RRAM的全加器 | 申请号 | CN201811215360.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN109408026A | 公开（授权）日 | 20190301 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 张锋;李云;高琪;霍强 | 主分类号 | G06F7/501 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种基于忆阻器RRAM的全加器 至一种基于忆阻器RRAM的全加器 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障