| 专利名称 | 掺碳的氮化硼长余辉材料及其制备方法 | 申请号 | CN200810203908.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101418216A | 公开（授权）日 | 20090429 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 刘小峰;乔延波;董国平;阮健;张光;林耿;邱建荣 | 主分类号 | C09K11/65 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 掺碳的氮化硼长余辉材料及其制备方法 至掺碳的氮化硼长余辉材料及其制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障